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晶湛半导体发布Micro LED全彩外延片尺寸打破300mm壁垒

作者:admin     发布时间:2022-05-08 04:02 点击数:

  原标题:晶湛半导体发布Micro LED全彩外延片,尺寸打破300mm壁垒

  4月8日,苏州晶湛半导体有限公司(以下简称晶湛半导体)发布了其面向Micro LED显示产业应用的全彩系列外延片产品-Full Color GaN®,新品外延片尺寸成功拓展至300mm。

  据晶湛半导体介绍,Full Color GaN®是硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片,具有更大的晶圆尺寸(200mm-300mm)和更好的表面质量,对提升LED芯片良率具有独特优势。此外,通过采用200mm/300mm FAB中先进的硅基芯片工艺制程,外延片可制备高性能的微型(5µm2)Micro LED像素阵列,并可与Si CMOS驱动进行高良率的混合集成。

  通过采用应力工程和极化工程等专利技术,晶湛半导体的Full Color GaN®全彩系列产品成功克服外延生长高效率红光LED的难题。

  另外,晶湛半导体指出,波长均匀性是实现Micro LED显示的关键因素,而Full Color GaN®全彩系列产品在整个200mm晶圆上具有出色的波长均匀性(图 3),而且蓝光LED晶圆尺寸最大可以到300mm,并具有优异的波长均匀性,全片标准偏差小于2nm(图4)。

  在缺陷密度方面,晶湛半导体则表示,Full Colar GaN®系列产品的表面缺陷密度可以控制在0.1/c㎡以内,即使像素尺寸微缩至2µm x 2µm(阵列:100 x 100),所有像素点依然都可点亮。

  晶湛半导体创始人兼总裁程凯博士表示,对于Micro LED的单片集成而言,将RGB三种颜色集成到氮化镓的单一材料平台中是非常关键的一步。Full Color GaN®全彩系列外延片将初步满足业界对AR/MR系统的要求。300mm硅基氮化镓外延片将推动GaN光电器件、GaN电子器件与硅器件的异构集成的发展,具有广阔的应用前景。

  资料显示,晶湛半导体成立于2012年3月,拥有先进的氮化镓外延材料研发和产业化基地,致力于为电力电子、射频电子以及微显示等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案。

  除在应用于微显示的外延片取得研发进展外,2021年,在应用于功率器件的GaN外延片方面,晶湛半导体成功攻克12英寸(300mm)无裂纹 GaN-on-Si外延技术,成功覆盖200V、650V、1200V等不同击穿电压应用场景需求,厚度不均匀度减小至 0.3%,晶圆翘曲Bow50μm,为GaN-on-Si外延片导入更加成熟精密的12英寸(300mm) CMOS 工艺线铺平了道路。

  另值得注意的是,今年3月份,晶湛半导体宣布完成B+轮数亿元战略融资,由歌尔股份控股子公司歌尔微电子领投,高瓴创投、惠友资本、创新工场等企业加码跟投。本轮融资资金将主要用于晶湛半导体总部和研发中心建设。(来源:晶湛半导体、LEDinside整理)

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